Aus welchem ​​Material besteht die EUV-Maske?

Die Maske von EUV ist reflektierend, aber unsere normale Maske ist durchlässig. Warum ist das so?

Warum ist die Maske von EUV reflektierend?

Die Wellenlänge von EUV-Licht beträgt 13,5 nm. Diese extrem kurze Wellenlänge wird beim Durchgang durch ein beliebiges Material stark absorbiert, sodass es kein geeignetes transparentes Material gibt, um EUV-Licht effektiv durchzulassen. Traditionelle Transmissionsmasken sind daher für die EUV-Lithografie nicht geeignet. Aufbau der EUV-Maske

Wie in der Abbildung oben gezeigt, verwendet die EUV-Maske eine mehrschichtige Filmstruktur, die das Bragg-Reflexionsprinzip zur Reflexion von EUV-Licht nutzt. Sie kann eine Reflektivität von bis zu etwa 70 % erreichen, was die Genauigkeit und Effizienz der Lithografie verbessert.
Antireflexbeschichtung (ARC) (Anti-Reflective Coating): Reduziert die Reflexion auf der Oberfläche des Retikels und erhöht die Effizienz der Lichtabsorption. Absorber: Die eigentliche Kambiumschicht des Lithographiemusters, die nicht reflektiertes EUV-Licht absorbiert. Im Allgemeinen sind die Materialien der Absorptionsschicht Ta, TaN, TaBN usw. Ru-Beschichtung: Schützt die mehrschichtige Membranstruktur vor Oxidation und Beschädigung.

Mo/Si-Mehrschichtspiegel (Molybdän/Silizium-Mehrschichtspiegel): 40 bis 50 abwechselnde Schichten aus Silizium und Molybdän werden als Bragg-Reflexschicht auf das LTEM-Substrat aufgebracht, um eine maximale Reflexion von EUV bei der Wellenlänge von 13,5 nm zu erreichen.
Material mit geringer Wärmeausdehnung (LTEM) (Material mit geringer Wärmeausdehnung): Maskensubstratmaterial mit hoher thermischer Stabilität und minimaler Maßänderung bei drastischen Temperaturänderungen.

Leitfähige Rückseitenbeschichtung (Conductive Back Coating): Besteht normalerweise aus Chromnitrid, um die statische Aufladung zu verringern und die elektrostatische Haftung zu verbessern.