Wie entferne ich Zahnfleisch nach einer Ionenimplantation?

Wie kann ichRentfernenGÄhAnachIAnIImplantation?

Welche Rolle spielt die Ionenimplantation im IC-Prozess?

Bei der Ionenimplantation handelt es sich hauptsächlich um die Bildung von Fallen (WELL), niedrig dotierten Deportationen (LDD) und stark dotierten Bereichen (P+/N+).

2. Warum lässt sich Fotolack nach der Ionenimplantation nur schwer entfernen?

Bei der Ionenimplantation wird der Fotolack mit hochenergetischen Ionen bombardiert, deren Energie die chemischen Bindungen in der Molekülkette des Fotolacks aufbrechen kann, wodurch diese Moleküle vernetzt werden und eine stabilere chemische Struktur bilden. Diese Vernetzung führt zu einer harten Kruste auf der Oberfläche des Fotolacks, die sein Entfernen erschwert.
3. Welche Methoden sind zum Entfernen von Klebstoff am wirksamsten?
Es wird die Methode der O2-Plasmaveraschung und Nasskombination angewendet. Die Oberfläche der Fotolack-Hartschale kann mit O2-Plasma bombardiert werden, um den „frischen“ Fotolack freizulegen. Anschließend können der Fotolack und die daraus resultierenden Partikel mit SPM und RCA entfernt werden.

SPM: konzentrierte Schwefelsäure + Wasserstoffperoxid; RCA1: Ammoniak + Wasserstoffperoxid; RCA2: Salzsäure + Wasserstoffperoxid

Natürlich ist auch eine Reinigung mit Ozonwasser möglich.

Allerdings verursacht O2-Plasma eine geringe Menge an Schäden am Silizium auf der Oberfläche des Chips, und der Verlust an Silizium wird im Low-End-Prozess (Knoten < 65 nm) nicht berücksichtigt. Wenn der High-End-Prozess durchgeführt wird, muss es im Nassverfahren vollständig entfernt werden.

ENDE