Ausdünnen und Schneiden von Spänen

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0040-79912 Auskleidungskammer-Leckkontrollanschluss, 300 mm Emax

Ausdünnung undCutting ofCHüften

Ausdünnen und Zerteilen von Chips In der modernen Halbleiterfertigung nimmt die Größe von Siliziumwafern immer weiter zu, von 6 Zoll auf 18 Zoll. Die Größe des Siliziumwafers ist durch seine Dicke begrenzt, daher nimmt seine Größe zu und die Dicke muss entsprechend erhöht werden, um die mechanische Festigkeit sicherzustellen, was auch Herausforderungen für die anschließende Chipverarbeitung mit sich bringt, von denen die größte das Chipschneiden ist Verpackung.

In diesem Artikel wird hauptsächlich das Ausdünnen und Schneiden von Siliziumwafern vorgestellt, die wie folgt beschrieben werden:

Chip-Downsizing

Spanschneiden

1 Chip-Downsizing

Beispielsweise beträgt bei einem TSOP-Gehäuse die effektive Dicke der Schaltkreisschicht nur 300 μm, die Gesamtdicke des eigentlichen Siliziumwafers muss jedoch normalerweise 900 μm betragen. Nachdem der entsprechende Prozess der Schaltungsschicht abgeschlossen ist, wird daher die Rückseite des bearbeiteten Siliziumwafers gedünnt und dann geschnitten, um einen gedünnten nackten Chip zu bilden.

Es gibt verschiedene Technologien zur Rückseitendünnung von Siliziumwafern, darunter vor allem:

Schleifen & Schleifen:

Bei dieser Methode handelt es sich um einen physikalischen Vorgang, der jedoch zu geringfügigen Schäden an der Oberfläche des Siliziumwafers führen und die mechanische Festigkeit verringern kann. Das bei dieser Methode verwendete Instrument ist eine Schleifscheibe, die mit einem Medium wie Schleifpaste und Wasser verdünnt wird.

 

Trockenpolieren:

Diese Methode unterscheidet sich vom oben beschriebenen Schleifen und Schleifen und muss nicht mit überschüssigen Medien kombiniert werden. Zum Polieren werden nur spezielle Instrumente verwendet, um Spannungen und Unebenheiten zu entfernen.

CMP:

In Kombination mit chemischer Korrosion und physikalischem Schleifen können Siliziumwafer verdünnt und poliert werden.

Andere Technologien verwenden chemische oder elektrochemische Methoden in Kombination mit physikalischen Mitteln, um die Dicke von Siliziumwafern zu verringern, beispielsweise durch plasmaverstärkte chemische Korrosion. Um die Biegefestigkeit des gedünnten Wafers zu verbessern, werden üblicherweise Methoden wie Trockenpolieren oder Plasmakorrosion zum Abbau der Spannung eingesetzt.

2 Spanschneiden

Der Siliziumwafer muss nach dem Ausdünnen des Chips geschnitten werden, und die Schneidmethode wird hauptsächlich in zwei Kategorien unterteilt: Klingenschneiden und Laserschneiden.

Klingenschneiden:

Diese Methode ist die traditionellste Schneidmethode, wie der Name schon sagt. Das verwendete Schneidwerkzeug ist die Klinge, aber die Härte der gewöhnlichen Klinge reicht nicht aus, und im Allgemeinen wird die Diamantschleifscheibenklinge verwendet.

Allerdings kann es in der Nähe der Schnittstelle aufgrund von Belastungen zu Ausbrüchen kommen, die durch den Einsatz von feinen Schleifeinsätzen deutlich reduziert werden können.

Laserschneiden:

Die durch die Laserfokussierung erzeugte Energie wird zum Schneiden verwendet. Die folgende Abbildung ist ein schematisches Diagramm des Lasernutschneidprozesses