【Semiconductor-Radierungsprozess】 Die Seele der Halbleiter lehrt den Ätzprozess und die Praxis von Ingenieuren auf defekten Ratenproblemen von 0 bis 1 （CH1-CH2)

Inhalt

CH1. Vertikale Transister-/CMOS -Struktur

CH2. Definition und Begriff des Ätzprozesses

CH3. Der Zweck des Ätzprozesses und das Konzept des Plasmas

CH4. Plasmaerstellung und Eigenschaften

Ch5.typen und Anwendungen des Plasmas, Prinzip des Trockenenders

CH6 Verständnis und Anforderungen von trockenen Ätzmethoden

CH7. Struktur der trockenen Ätzgeräte

CH8.Dry -Ätzprozess

CH9.Wet -Ätzprozess

CH10. Ätzefehlfälle und Ätzeningenieurpraxis

 

CH1.Transister/CMOS vertikalStruktur

Die Komponenten eines MOS -Transistors bestehen aus vier Klemmen: Gate, Quelle, Abfluss und SI_SUB.

P-Sub=p-Typ (Loch) niedriger Konzentration Dotiertes Silizium-Substrat

Q-N+ / P +=Hoch konzentrierte dotierte Elektronen oder Löcher

N-/P -=niedrige Konzentrationsdotierung

STI=PMOS vs. NMOS -Trennungszone

PMD oder ILD 1=Isolationsschicht vor der Metal1 / Isolationsschicht zwischen der Gate -Schicht und der Metal1 -Schicht

IMD=Isolierung zwischen Metal1 und Metal2

USG=Isolierung ohne Verunreinigungsdotierung

ARC (Anti-Reflexionsbeschichtung)=Anti-Reflexionsbeschichtung-Reflexionsunterdrückung, um die PR-Grafik während der Exposition unter Verwendung von Sion zu verhindern

W-CVD=Ablagerung von Wolfram (W) durch CVD

TIN-CVD=Ablagerung von Titannitrid (Zinn) durch CVD

CH2. Definition und Terminologie des Ätzprozesses

Radierungsprozess: Definition=Der Prozess der lokalen Entfernung von dünnen Filmen, die unter dem Fotoresist gemäß dem Zweck des Prozesses nach dem PR -Entwicklungsprozess gewachsen sind oder abgelagert wurden.

Ätzende Begriffe

Ätzend Skew=WB (Lithographiegröße=adi CD)- WA (geätzte Dimensionen=ACI CD)

Der Unterschied zwischen der Mask -CD und der ADI -CD zur Entwurfszeit wird als Vorspannung bezeichnet

ADI CD=nach Entwicklungsinspektions -CD

ACI CD=nach sauberer Inspektion CD

: Grafiken, die durch Lithographieänderung gebildet werden, nachdem der Ätzprozess durchlaufen wurde → Dies muss beim Entwerfen von Grafiken berücksichtigt werden!

Über Ätzen und unterbacken

Über Ätze=Ätzen ist übertrieben und überschreitet die gewünschte Dicke oder Tiefe → Defekte

Unterkut=Ein unvermeidliches Phänomen beim Nasseischen ist, dass der Ätzbereich größer ist als der offene Bereich

Ätzrate (ER): Die Dicke des Zielmaterials, das während der Ätzzeit entfernt werden soll.

Selektivität (n) - Ein wichtiges Parameter: das Verhältnis der Ätzrate zwischen verschiedenen Materialien oder das Verhältnis der Ätzrate zwischen PR und Material

Ätzung - äußerst wichtig für Ätzingenieure: Die gesamte Oberfläche muss gleichmäßig geätzt werden! Ungefähr 9 Punkte werden innerhalb und zwischen Wafern ausgewählt, um die Dicke vor und nach dem Ätzen zu messen → Die Wiederholbarkeit der Prozesse wird anhand der Standardabweichung beurteilt

Seitenverhältnis=Höhe (h) / Breite (W) → großer Wert Zeigt die Tiefe an, und der kleine Wert zeigt die Breite an.

• Schrittabdeckung

• Seitenabdeckung=S1/T, S2/T

• Bodenbedeckung=td/t

•=>Wert nahe "1" ist ideal.

Belastungseffekt

Mikrobelastungseffekt

= Für feine Muster ist die Entladung von Reaktionsprodukten nach dem Ätzen nicht glatt, was zu einem besseren Ätzeffekt führt als breite Muster.

Tritt auf, wenn das Muster sehr fein ist oder der Ätz tief ist.

=>Lösung: Verwenden Sie während des Ätzenprozesses niedriger Druck oder beschleunigen Sie die Gasdurchflussrate !!

Makrobeladungseffekt

Oder

=>Lösung: Setzen Sie ein Dummy -Muster über einen weiten Bereich ein, um das Muster dicht gebildet zu machen.

EPD (Endpunkterkennung)

Definition: Eine Methode, mit der festgestellt wurde, ob die gewünschte Filmschicht im Ätzprozess entfernt wurde.

Klassifizierung: Optische Emissionsspektroskopie (OES) unter Verwendung von Interferenzphänomenen, Überwachung der Spannung und des Stroms der Funkfrequenzwellen (RF).

Prinzip: Jedes Atom hat eine eigene Spezifikationswellenlänge und zeigt verschiedene Farben. Beim Ätzen verschiedener Materialien, die Farbe des Plasma ändert sich, werden optische Sensoren verwendet, um diese Änderung zu erkennen und somit den Endpunkt des Ätzprozesses zu bestimmen.

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